Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  G3R™
• багц
  Tube
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  N-Channel
• технологи
  SiCFET (Silicon Carbide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  1700 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  61A (Tc)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  15V
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  58mOhm @ 40A, 15V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  2.7V @ 8mA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  182 nC @ 15 V
• vgs (хамгийн их)
  ±15V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  4523 pF @ 1000 V
• fet онцлог
  -
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  438W (Tc)
• Үйлдлийн температур
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Through Hole
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  TO-247-3
• багц / хайрцаг
  TO-247-3