BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

Үйлдвэрлэгч

IR (Infineon Technologies)

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    OptiMOS™
  • багц
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    60 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    30A (Ta), 100A (Tc)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    6V, 10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    1.6mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    2.8V @ 95µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    71 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    5200 pF @ 30 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    2.5W (Ta), 139W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    PG-TDSON-8 FL
  • багц / хайрцаг
    8-PowerTDFN

BSC016N06NSATMA1 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 14122
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
2.28000
Зорилтот үнэ:
Нийт:2.28000

Мэдээллийн хуудас

Татаж авах