DF23MR12W1M1PB11BPSA1

DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Үйлдвэрлэгч

IR (Infineon Technologies)

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - фетүүд, mosfets - массивууд

Тодорхойлолт

MOSFET MODULE 1200V

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    EasyPACK™
  • багц
    Tray
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    2 N-Channel (Dual)
  • fet онцлог
    Silicon Carbide (SiC)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    1200V (1.2kV)
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    25A (Tj)
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    45mOhm @ 25A, 15V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    5.55V @ 10mA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    62nC @ 15V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    1840pF @ 800V
  • хүч - хамгийн их
    20mW
  • Үйлдлийн температур
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Chassis Mount
  • багц / хайрцаг
    Module
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    AG-EASY1B-2

DF23MR12W1M1PB11BPSA1 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 1356
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
90.60000
Зорилтот үнэ:
Нийт:90.60000