IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R1K4CEAUMA1

Үйлдвэрлэгч

IR (Infineon Technologies)

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    CoolMOS™ CE
  • багц
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    500 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    3.1A (Tc)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    13V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    1.4Ohm @ 900mA, 13V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    3.5V @ 70µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    178 pF @ 100 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    42W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    PG-TO252-3
  • багц / хайрцаг
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50R1K4CEAUMA1 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 37931
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.54000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.54000

Мэдээллийн хуудас

Татаж авах