Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  CoolMOS™
• багц
  Tube
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  N-Channel
• технологи
  MOSFET (Metal Oxide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  800 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  4A (Tc)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  10V
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  1.4Ohm @ 1.4A, 10V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  3.5V @ 700µA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  10.05 nC @ 10 V
• vgs (хамгийн их)
  ±20V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  250 pF @ 500 V
• fet онцлог
  Super Junction
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  32W (Tc)
• Үйлдлийн температур
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Through Hole
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  PG-TO251-3
• багц / хайрцаг
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA