FDB52N20TM

FDB52N20TM

Үйлдвэрлэгч

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    UniFET™
  • багц
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    200 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    52A (Tc)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    49mOhm @ 26A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    5V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    63 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±30V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    2900 pF @ 25 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    357W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    D²PAK
  • багц / хайрцаг
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB52N20TM Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 14097
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
2.29000
Зорилтот үнэ:
Нийт:2.29000

Мэдээллийн хуудас