DF120R12W2H3B27BOMA1

DF120R12W2H3B27BOMA1

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - igbts - модулиуд

Тодорхойлолт

DF120R12W - IGBT MODULE

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Active
  • igbt төрөл
    -
  • тохиргоо
    Three Phase Inverter
  • хүчдэл - коллекторын ялгаруулагчийн эвдрэл (хамгийн их)
    1.2 V
  • гүйдэл - коллектор (ic) (хамгийн их)
    50 A
  • хүч - хамгийн их
    180 W
  • vce(on) (хамгийн их) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • гүйдэл - коллекторын тасалдал (хамгийн их)
    1 mA
  • оролтын багтаамж (cies) @ vce
    2.35 nF @ 25 V
  • оролт
    Standard
  • ntc термистор
    Yes
  • Үйлдлийн температур
    -40°C ~ 150°C
  • суурилуулах төрөл
    Chassis Mount
  • багц / хайрцаг
    Module
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    Module

DF120R12W2H3B27BOMA1 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 2059
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
44.58000
Зорилтот үнэ:
Нийт:44.58000

Мэдээллийн хуудас