FDD2612

FDD2612

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    PowerTrench®
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Obsolete
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    200 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    4.9A (Ta)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    720mOhm @ 1.5A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    4.5V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    11 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    234 pF @ 100 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    42W (Ta)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    TO-252
  • багц / хайрцаг
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDD2612 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 26822
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.77000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.77000

Мэдээллийн хуудас