IPD60R600E6ATMA1

IPD60R600E6ATMA1

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    CoolMOS™ E6
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    600 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    7.3A (Tc)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    600mOhm @ 2.4A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    3.5V @ 200µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    20.5 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    440 pF @ 100 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    63W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    -
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    TO-252
  • багц / хайрцаг
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD60R600E6ATMA1 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 39270
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.52000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.52000

Мэдээллийн хуудас