IPI126N10N3 G

IPI126N10N3 G

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    OptiMOS™
  • багц
    Tube
  • хэсгийн байдал
    Obsolete
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    100 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    58A (Tc)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    6V, 10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    12.6mOhm @ 46A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    3.5V @ 46µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    35 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    2.5 pF @ 50 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    94W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Through Hole
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    PG-TO262-3
  • багц / хайрцаг
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPI126N10N3 G Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 36074
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.57000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.57000

Мэдээллийн хуудас