Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  StrongIRFET™
• багц
  Bulk
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  N-Channel
• технологи
  MOSFET (Metal Oxide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  40 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  135A (Tc)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  6V, 10V
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  2.3mOhm @ 81A, 10V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  3.9V @ 100µA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  81 nC @ 10 V
• vgs (хамгийн их)
  ±20V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  3.913 pF @ 25 V
• fet онцлог
  -
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  74W (Tc)
• Үйлдлийн температур
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Surface Mount
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  DirectFET™ Isometric MF
• багц / хайрцаг
  DirectFET™ Isometric MF