NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Obsolete
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    40 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    9.2A (Ta)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    4.5V, 10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    10mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    3V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    50 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    2.115 pF @ 20 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    1.5W (Ta)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    8-SOIC
  • багц / хайрцаг
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTMS5835NLR2G Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 35456
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.29000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.29000

Мэдээллийн хуудас