R6020ANX

R6020ANX

Үйлдвэрлэгч

ROHM Semiconductor

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Not For New Designs
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    600 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    20A (Ta)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    220mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    4.5V @ 1mA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    65 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±30V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    2040 pF @ 25 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    50W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Through Hole
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    TO-220FM
  • багц / хайрцаг
    TO-220-3 Full Pack

R6020ANX Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 8062
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
7.05000
Зорилтот үнэ:
Нийт:7.05000

Мэдээллийн хуудас