RN2905FE,LF(CT

RN2905FE,LF(CT

Үйлдвэрлэгч

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - хоёр туйлт (bjt) - массив, урьдчилсан хэвийсэн

Тодорхойлолт

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Tape & Reel (TR)
  • хэсгийн байдал
    Active
  • транзисторын төрөл
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • гүйдэл - коллектор (ic) (хамгийн их)
    100mA
  • хүчдэл - коллекторын ялгаруулагчийн эвдрэл (хамгийн их)
    50V
  • эсэргүүцэл - суурь (r1)
    2.2kOhms
  • резистор - ялгаруулагч суурь (r2)
    47kOhms
  • тогтмол гүйдлийн нэмэгдэл (hfe) (мин) @ ic, vce
    80 @ 10mA, 5V
  • vce ханалт (хамгийн их) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • гүйдэл - коллекторын тасалдал (хамгийн их)
    100nA (ICBO)
  • давтамж - шилжилт
    200MHz
  • хүч - хамгийн их
    100mW
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    SOT-563, SOT-666
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    ES6

RN2905FE,LF(CT Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 205999
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.04876
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.04876