TK25E60X,S1X

TK25E60X,S1X

Үйлдвэрлэгч

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    DTMOSIV-H
  • багц
    Tube
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    600 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    25A (Ta)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    125mOhm @ 7.5A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    3.5V @ 1.2mA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    40 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±30V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    2400 pF @ 300 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    180W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Through Hole
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    TO-220
  • багц / хайрцаг
    TO-220-3

TK25E60X,S1X Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 7966
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
4.20000
Зорилтот үнэ:
Нийт:4.20000

Мэдээллийн хуудас