IRFI820GPBF

IRFI820GPBF

Үйлдвэрлэгч

Vishay / Siliconix

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Tube
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    500 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    2.1A (Tc)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    3Ohm @ 1.3A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    4V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    24 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    360 pF @ 25 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    30W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Through Hole
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    TO-220-3
  • багц / хайрцаг
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IRFI820GPBF Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 11209
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
2.92000
Зорилтот үнэ:
Нийт:2.92000

Мэдээллийн хуудас