SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3

Үйлдвэрлэгч

Vishay / Siliconix

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - фетүүд, mosfets - массивууд

Тодорхойлолт

MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    TrenchFET®
  • багц
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    2 P-Channel (Dual)
  • fet онцлог
    Logic Level Gate
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    60V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    190mA
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    4Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    3V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    1.7nC @ 15V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    23pF @ 25V
  • хүч - хамгийн их
    250mW
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    SOT-563, SOT-666
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    SC-89-6

SI1025X-T1-GE3 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 38615
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.53000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.53000

Мэдээллийн хуудас

Татаж авах