SI7230DN-T1-E3

SI7230DN-T1-E3

Үйлдвэрлэгч

Vishay / Siliconix

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    TrenchFET®
  • багц
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    30 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    9A (Ta)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    4.5V, 10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    12mOhm @ 14A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    3V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    20 nC @ 5 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    -
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    1.5W (Ta)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    PowerPAK® 1212-8
  • багц / хайрцаг
    PowerPAK® 1212-8

SI7230DN-T1-E3 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 14043
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
1.52000
Зорилтот үнэ:
Нийт:1.52000

Мэдээллийн хуудас