SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Үйлдвэрлэгч

Vishay / Siliconix

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    TrenchFET®
  • багц
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • хэсгийн байдал
    Obsolete
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    30 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    12A (Tc)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    4.5V, 10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    18mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    2.4V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    17 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    570 pF @ 15 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • багц / хайрцаг
    PowerPAK® SC-70-6

SIA418DJ-T1-GE3 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 23220
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.45000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.45000

Мэдээллийн хуудас