SUP50020E-GE3

SUP50020E-GE3

Үйлдвэрлэгч

Vishay / Siliconix

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    TrenchFET®
  • багц
    Tube
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    60 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    120A (Tc)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    7.5V, 10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    2.4mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    4V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    128 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    -
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    375W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Through Hole
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    TO-220AB
  • багц / хайрцаг
    TO-220-3

SUP50020E-GE3 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 10756
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
3.07000
Зорилтот үнэ:
Нийт:3.07000

Мэдээллийн хуудас