Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  C2M™
• багц
  Tube
• хэсгийн байдал
  Not For New Designs
• fet төрөл
  N-Channel
• технологи
  SiCFET (Silicon Carbide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  1700 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  72A (Tc)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  20V
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  4V @ 18mA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (хамгийн их)
  +25V, -10V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• fet онцлог
  -
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  520W (Tc)
• Үйлдлийн температур
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Through Hole
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  TO-247-4
• багц / хайрцаг
  TO-247-4