Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  Z-FET™
• багц
  Bulk
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet онцлог
  Silicon Carbide (SiC)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  1200V (1.2kV)
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  423A (Tc)
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  1025nC @ 20V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  11700pF @ 600V
• хүч - хамгийн их
  1660W
• Үйлдлийн температур
  150°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Chassis Mount
• багц / хайрцаг
  Module, Screw Terminals
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  Module