Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  eGaN®
• багц
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• fet онцлог
  GaNFET (Gallium Nitride)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  100V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  1.7A, 500mA
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• хүч - хамгийн их
  -
• Үйлдлийн температур
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Surface Mount
• багц / хайрцаг
  9-VFBGA
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  9-BGA (1.35x1.35)