BSG0813NDIATMA1

BSG0813NDIATMA1

Үйлдвэрлэгч

IR (Infineon Technologies)

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - фетүүд, mosfets - массивууд

Тодорхойлолт

MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Tape & Reel (TR)
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • fet онцлог
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    25V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    19A, 33A
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    2V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    1100pF @ 12V
  • хүч - хамгийн их
    2.5W
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    8-PowerTDFN
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    PG-TISON-8

BSG0813NDIATMA1 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 16966
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
1.24740
Зорилтот үнэ:
Нийт:1.24740

Мэдээллийн хуудас

Татаж авах