IPAW60R180P7SXKSA1

IPAW60R180P7SXKSA1

Үйлдвэрлэгч

IR (Infineon Technologies)

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    CoolMOS™ P7
  • багц
    Tube
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    650 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    18A (Tc)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    180mOhm @ 5.6A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    4V @ 280µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    25 nC @ 10 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±20V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    1081 pF @ 400 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    26W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Through Hole
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    PG-TO220 Full Pack
  • багц / хайрцаг
    TO-220-3 Full Pack

IPAW60R180P7SXKSA1 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 12110
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
1.78000
Зорилтот үнэ:
Нийт:1.78000

Мэдээллийн хуудас