Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  -
• багц
  Bag
• хэсгийн байдал
  Active
• транзисторын төрөл
  NPN - Pre-Biased
• гүйдэл - коллектор (ic) (хамгийн их)
  100 mA
• хүчдэл - коллекторын ялгаруулагчийн эвдрэл (хамгийн их)
  50 V
• эсэргүүцэл - суурь (r1)
  4.7 kOhms
• резистор - ялгаруулагч суурь (r2)
  4.7 kOhms
• тогтмол гүйдлийн нэмэгдэл (hfe) (мин) @ ic, vce
  80 @ 10mA, 5V
• vce ханалт (хамгийн их) @ ib, ic
  300mV @ 250µA, 5mA
• гүйдэл - коллекторын тасалдал (хамгийн их)
  500nA
• давтамж - шилжилт
  250 MHz
• хүч - хамгийн их
  300 mW
• суурилуулах төрөл
  Through Hole
• багц / хайрцаг
  TO-226-3, TO-92-3 Short Body
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  TO-92S