Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  SIPMOS®
• багц
  Bulk
• хэсгийн байдал
  Obsolete
• fet төрөл
  N-Channel
• технологи
  MOSFET (Metal Oxide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  600 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  120mA (Ta)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  0V, 10V
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  45Ohm @ 120mA, 10V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  1V @ 94µA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  4.9 nC @ 5 V
• vgs (хамгийн их)
  ±20V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  146 pF @ 25 V
• fet онцлог
  Depletion Mode
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  1.8W (Ta)
• Үйлдлийн температур
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Surface Mount
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  PG-SOT223-4
• багц / хайрцаг
  TO-261-4, TO-261AA