BUK9E4R9-60E,127

BUK9E4R9-60E,127

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзистор - фет, мосфет - ганц

Тодорхойлолт

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    TrenchMOS™
  • багц
    Tube
  • хэсгийн байдал
    Obsolete
  • fet төрөл
    N-Channel
  • технологи
    MOSFET (Metal Oxide)
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    60 V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    100A (Tc)
  • хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
    5V, 10V
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    4.5mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    2.1V @ 1mA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    65 nC @ 5 V
  • vgs (хамгийн их)
    ±10V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    9.71 pF @ 25 V
  • fet онцлог
    -
  • эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
    234W (Tc)
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Through Hole
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    I2PAK
  • багц / хайрцаг
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

BUK9E4R9-60E,127 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 28736
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.72000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.72000