Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  NexFET™
• багц
  Bulk
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  N-Channel
• технологи
  MOSFET (Metal Oxide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  25 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  -
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  2.1V @ 250µA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (хамгийн их)
  +16V, -12V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• fet онцлог
  -
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  3.1W (Ta)
• Үйлдлийн температур
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Surface Mount
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  8-VSON-CLIP (5x6)
• багц / хайрцаг
  8-PowerTDFN