FF200R33KF2CNOSA1

FF200R33KF2CNOSA1

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - igbts - модулиуд

Тодорхойлолт

IGBT MODULE

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Active
  • igbt төрөл
    -
  • тохиргоо
    2 Independent
  • хүчдэл - коллекторын ялгаруулагчийн эвдрэл (хамгийн их)
    3.3 V
  • гүйдэл - коллектор (ic) (хамгийн их)
    330 A
  • хүч - хамгийн их
    2.2 W
  • vce(on) (хамгийн их) @ vge, ic
    4.25V @ 15V, 200A
  • гүйдэл - коллекторын тасалдал (хамгийн их)
    5 mA
  • оролтын багтаамж (cies) @ vce
    25 nF @ 25 V
  • оролт
    Standard
  • ntc термистор
    No
  • Үйлдлийн температур
    -40°C ~ 125°C
  • суурилуулах төрөл
    Chassis Mount
  • багц / хайрцаг
    Module
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    Module

FF200R33KF2CNOSA1 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 911
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
1015.01000
Зорилтот үнэ:
Нийт:1015.01000

Мэдээллийн хуудас