FGB30N6S2

FGB30N6S2

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - igbts - дан

Тодорхойлолт

N-CHANNEL IGBT

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Tube
  • хэсгийн байдал
    Obsolete
  • igbt төрөл
    -
  • хүчдэл - коллекторын ялгаруулагчийн эвдрэл (хамгийн их)
    600 V
  • гүйдэл - коллектор (ic) (хамгийн их)
    45 A
  • гүйдэл - коллекторын импульс (icm)
    108 A
  • vce(on) (хамгийн их) @ vge, ic
    2.5V @ 15V, 12A
  • хүч - хамгийн их
    167 W
  • шилжих энерги
    55µJ (on), 100µJ (off)
  • оролтын төрөл
    Standard
  • хаалганы төлбөр
    23 nC
  • td (асаах/унтраах) @ 25°C
    6ns/40ns
  • туршилтын нөхцөл
    390V, 12A, 10Ohm, 15V
  • урвуу сэргээх хугацаа (trr)
    -
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    TO-263AB

FGB30N6S2 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 26842
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.77000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.77000

Мэдээллийн хуудас