FW276-TL-2H

FW276-TL-2H

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - фетүүд, mosfets - массивууд

Тодорхойлолт

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Obsolete
  • fet төрөл
    2 N-Channel (Dual)
  • fet онцлог
    Logic Level Gate
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    450V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    700mA
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    12.1Ohm @ 350mA, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    4.5V @ 1mA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    3.7nC @ 10V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    55pF @ 20V
  • хүч - хамгийн их
    1.6W
  • Үйлдлийн температур
    150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    8-SOIC

FW276-TL-2H Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 27879
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.37000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.37000

Мэдээллийн хуудас

Татаж авах