HAT2218R-EL-E

HAT2218R-EL-E

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - фетүүд, mosfets - массивууд

Тодорхойлолт

POWER, 7.5A, 30V, N-CH MOSFET

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Obsolete
  • fet төрөл
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • fet онцлог
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    30V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    7.5A, 8A
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    24mOhm @ 3.75A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    -
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    4.6nC @ 4.5V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    630pF @ 10V
  • хүч - хамгийн их
    1.5W
  • Үйлдлийн температур
    150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    8-SOP

HAT2218R-EL-E Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 26904
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.77000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.77000