IRF7910TRPBF

IRF7910TRPBF

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - фетүүд, mosfets - массивууд

Тодорхойлолт

IRF7910 PLANAR <=40V

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    HEXFET®
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    2 N-Channel (Dual)
  • fet онцлог
    Logic Level Gate
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    12V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    10A
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    15mOhm @ 8A, 4.5V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    2V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    26nC @ 4.5V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    1730pF @ 6V
  • хүч - хамгийн их
    2W
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    8-SO

IRF7910TRPBF Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 20805
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.50000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.50000

Мэдээллийн хуудас

Татаж авах