IRF8915PBF

IRF8915PBF

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - фетүүд, mosfets - массивууд

Тодорхойлолт

HEXFET POWER MOSFET

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    HEXFET®
  • багц
    Tube
  • хэсгийн байдал
    Obsolete
  • fet төрөл
    2 N-Channel (Dual)
  • fet онцлог
    Logic Level Gate
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    20V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    8.9A
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    18.3mOhm @ 8.9A, 10V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    2.5V @ 250µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    7.4nC @ 4.5V
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    540pF @ 10V
  • хүч - хамгийн их
    2W
  • Үйлдлийн температур
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    8-SO

IRF8915PBF Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 50854
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.20000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.20000