Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  HEXFET®
• багц
  Bulk
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  N-Channel
• технологи
  MOSFET (Metal Oxide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  150 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  41A (Tc)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  10V
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  45mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  5.5V @ 250µA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  110 nC @ 10 V
• vgs (хамгийн их)
  ±30V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  2.52 pF @ 25 V
• fet онцлог
  -
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  200W (Tc)
• Үйлдлийн температур
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Through Hole
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  TO-220AB
• багц / хайрцаг
  TO-220-3