IRG8P60N120KD-EPBF

IRG8P60N120KD-EPBF

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - igbts - дан

Тодорхойлолт

IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Obsolete
  • igbt төрөл
    -
  • хүчдэл - коллекторын ялгаруулагчийн эвдрэл (хамгийн их)
    1.2 V
  • гүйдэл - коллектор (ic) (хамгийн их)
    100 A
  • гүйдэл - коллекторын импульс (icm)
    120 A
  • vce(on) (хамгийн их) @ vge, ic
    2V @ 15V, 40A
  • хүч - хамгийн их
    420 W
  • шилжих энерги
    2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
  • оролтын төрөл
    Standard
  • хаалганы төлбөр
    345 nC
  • td (асаах/унтраах) @ 25°C
    40ns/240ns
  • туршилтын нөхцөл
    600V, 40A, 5Ohm, 15V
  • урвуу сэргээх хугацаа (trr)
    210 ns
  • Үйлдлийн температур
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Through Hole
  • багц / хайрцаг
    TO-247-3
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    TO-247AD

IRG8P60N120KD-EPBF Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 8172
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
6.91000
Зорилтот үнэ:
Нийт:6.91000

Мэдээллийн хуудас

Татаж авах