Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  HEXFET®
• багц
  Bulk
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  N-Channel
• технологи
  MOSFET (Metal Oxide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  55 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  51A (Tc)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  -
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  13.5mOhm @ 31A, 10V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  3V @ 250µA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  36 nC @ 5 V
• vgs (хамгийн их)
  ±16V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  1620 pF @ 25 V
• fet онцлог
  -
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  80W (Tc)
• Үйлдлийн температур
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Surface Mount
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  PG-TO263-3-2
• багц / хайрцаг
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB