Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  -
• багц
  Bulk
• хэсгийн байдал
  Active
• транзисторын төрөл
  1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• гүйдэл - коллектор (ic) (хамгийн их)
  100mA, 3A
• хүчдэл - коллекторын ялгаруулагчийн эвдрэл (хамгийн их)
  50V, 20V
• эсэргүүцэл - суурь (r1)
  4.7kOhms
• резистор - ялгаруулагч суурь (r2)
  4.7kOhms
• тогтмол гүйдлийн нэмэгдэл (hfe) (мин) @ ic, vce
  30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
• vce ханалт (хамгийн их) @ ib, ic
  150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
• гүйдэл - коллекторын тасалдал (хамгийн их)
  1µA, 100nA
• давтамж - шилжилт
  100MHz
• хүч - хамгийн их
  1.5W
• суурилуулах төрөл
  Surface Mount
• багц / хайрцаг
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  8-SO