PDTA123JM,315

PDTA123JM,315

Үйлдвэрлэгч

Rochester Electronics

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - хоёр туйлт (bjt) - дан, урьдчилсан хэвийсэн

Тодорхойлолт

NOW NEXPERIA PDTA123JM - SMALL S

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Bulk
  • хэсгийн байдал
    Active
  • транзисторын төрөл
    PNP - Pre-Biased
  • гүйдэл - коллектор (ic) (хамгийн их)
    100 mA
  • хүчдэл - коллекторын ялгаруулагчийн эвдрэл (хамгийн их)
    50 V
  • эсэргүүцэл - суурь (r1)
    2.2 kOhms
  • резистор - ялгаруулагч суурь (r2)
    47 kOhms
  • тогтмол гүйдлийн нэмэгдэл (hfe) (мин) @ ic, vce
    100 @ 10mA, 5V
  • vce ханалт (хамгийн их) @ ib, ic
    100mV @ 250µA, 5mA
  • гүйдэл - коллекторын тасалдал (хамгийн их)
    1µA
  • давтамж - шилжилт
    -
  • хүч - хамгийн их
    250 mW
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    SC-101, SOT-883
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    DFN1006-3

PDTA123JM,315 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 500914
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.02000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.02000

Мэдээллийн хуудас