Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  TrenchMOS™
• багц
  Bulk
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  N-Channel
• технологи
  MOSFET (Metal Oxide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  55 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  -
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  2V @ 1mA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (хамгийн их)
  ±13V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• fet онцлог
  -
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• Үйлдлийн температур
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Surface Mount
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  SC-73
• багц / хайрцаг
  TO-261-4, TO-261AA