Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  -
• багц
  Tray
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet онцлог
  Silicon Carbide (SiC)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  1200V (1.2kV)
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  300A (Tc)
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  4V @ 68mA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  -
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  35000pF @ 10V
• хүч - хамгийн их
  1875W
• Үйлдлийн температур
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Chassis Mount
• багц / хайрцаг
  Module
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  Module