RGW80TS65GC11

RGW80TS65GC11

Үйлдвэрлэгч

ROHM Semiconductor

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - igbts - дан

Тодорхойлолт

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Tube
  • хэсгийн байдал
    Active
  • igbt төрөл
    Trench Field Stop
  • хүчдэл - коллекторын ялгаруулагчийн эвдрэл (хамгийн их)
    650 V
  • гүйдэл - коллектор (ic) (хамгийн их)
    78 A
  • гүйдэл - коллекторын импульс (icm)
    160 A
  • vce(on) (хамгийн их) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 40A
  • хүч - хамгийн их
    214 W
  • шилжих энерги
    760µJ (on), 720µJ (off)
  • оролтын төрөл
    Standard
  • хаалганы төлбөр
    110 nC
  • td (асаах/унтраах) @ 25°C
    44ns/143ns
  • туршилтын нөхцөл
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • урвуу сэргээх хугацаа (trr)
    -
  • Үйлдлийн температур
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Through Hole
  • багц / хайрцаг
    TO-247-3
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    TO-247N

RGW80TS65GC11 Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 7475
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
4.54000
Зорилтот үнэ:
Нийт:4.54000

Мэдээллийн хуудас