Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  -
• багц
  Tube
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  N-Channel
• технологи
  SiCFET (Silicon Carbide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  1200 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  31A (Tc)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  18V
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  104mOhm @ 10A, 18V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  5.6V @ 5mA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  60 nC @ 18 V
• vgs (хамгийн их)
  +22V, -4V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  785 pF @ 800 V
• fet онцлог
  -
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  165W
• Үйлдлийн температур
  175°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Through Hole
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  TO-247-4L
• багц / хайрцаг
  TO-247-4