RN2112MFV,L3F

RN2112MFV,L3F

Үйлдвэрлэгч

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - хоёр туйлт (bjt) - дан, урьдчилсан хэвийсэн

Тодорхойлолт

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • хэсгийн байдал
    Active
  • транзисторын төрөл
    PNP - Pre-Biased
  • гүйдэл - коллектор (ic) (хамгийн их)
    100 mA
  • хүчдэл - коллекторын ялгаруулагчийн эвдрэл (хамгийн их)
    50 V
  • эсэргүүцэл - суурь (r1)
    22 kOhms
  • резистор - ялгаруулагч суурь (r2)
    -
  • тогтмол гүйдлийн нэмэгдэл (hfe) (мин) @ ic, vce
    120 @ 1mA, 5V
  • vce ханалт (хамгийн их) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • гүйдэл - коллекторын тасалдал (хамгийн их)
    100nA (ICBO)
  • давтамж - шилжилт
    -
  • хүч - хамгийн их
    150 mW
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    SOT-723
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    VESM

RN2112MFV,L3F Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 56368
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.18000
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.18000