SSM6N15AFE,LM

SSM6N15AFE,LM

Үйлдвэрлэгч

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Бүтээгдэхүүний ангилал

транзисторууд - фетүүд, mosfets - массивууд

Тодорхойлолт

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

RFQ имэйл: [email protected] or Онлайнаар асууж байна

Үзүүлэлтүүд

  • цуврал
    -
  • багц
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • хэсгийн байдал
    Active
  • fet төрөл
    2 N-Channel (Dual)
  • fet онцлог
    Logic Level Gate
  • хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
    30V
  • гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
    100mA
  • rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
    4Ohm @ 10mA, 4V
  • vgs(th) (хамгийн их) @ id
    1.5V @ 100µA
  • хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
    -
  • оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
    13.5pF @ 3V
  • хүч - хамгийн их
    150mW
  • Үйлдлийн температур
    150°C (TJ)
  • суурилуулах төрөл
    Surface Mount
  • багц / хайрцаг
    SOT-563, SOT-666
  • нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
    ES6 (1.6x1.6)

SSM6N15AFE,LM Үнийн санал авах

Нөөцөд байна 138611
Тоо хэмжээ:
Нэгж үнэ (жишиг үнэ):
0.07260
Зорилтот үнэ:
Нийт:0.07260

Мэдээллийн хуудас

Татаж авах