Үзүүлэлтүүд

• цуврал
  TrenchFET® Gen III
• багц
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• хэсгийн байдал
  Active
• fet төрөл
  P-Channel
• технологи
  MOSFET (Metal Oxide)
• хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss)
  20 V
• гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c
  15.4A (Tc)
• хөтчийн хүчдэл (хамгийн их давтамж асаалттай, хамгийн бага давтамжтай)
  1.8V, 4.5V
• rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs
  14mOhm @ 9A, 4.5V
• vgs(th) (хамгийн их) @ id
  1V @ 250µA
• хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs
  99 nC @ 8 V
• vgs (хамгийн их)
  ±8V
• оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds
  3250 pF @ 10 V
• fet онцлог
  -
• эрчим хүчний алдагдал (хамгийн их)
  5W (Tc)
• Үйлдлийн температур
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• суурилуулах төрөл
  Surface Mount
• нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц
  8-SOIC
• багц / хайрцаг
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)